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由于该阵列的高灵敏度和高均匀性，规模可以获得高对比度的目标物体清晰图像。解新f）退火后的a-Ga2O3薄膜的暗电流-电压特性和相应的SCLC模型的拟合曲线。源难题该SBPD还显示出3.9×107的超高光暗电流比。

P型半导体，消纳如GaN和NiO，被用来与Ga2O3形成p-n异质结，以实现光检测的用途。大面积Ga2O3 PD图像传感器阵列的关键挑战在于难以生长大尺寸的Ga2O3薄膜，中国志磊展破以及在集成中保持其高均匀性。

此外，电科首次制备了后退火a-Ga2O3 SBPDs的大规模、高均匀性的32×32图像传感器阵列。

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